RM15P30S8
P沟道增强型功率MOSFET,电流:15A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM15P30S8
- 商品编号
- C3279983
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -15 A
- 在VGS = -10 V的条件下,RDS(ON) < 12 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品为无铅产品
- 采用表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 不间断电源