IPN70R1K4P7SATMA1
1个N沟道 耐压:700V 电流:4A
- 品牌名称Infineon(英飞凌)
商品型号
IPN70R1K4P7SATMA1商品编号
C3278573商品封装
SOT-223包装方式
编带
商品毛重
0.194克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@700mA,10V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 6.2W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@40uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.7nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 158pF@400V | |
工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
梯度价格
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