PMPB20ENA115
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 12.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.8nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 开关速度极快
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 外露漏极焊盘,导热性能出色
- 镀锡侧焊盘,100%可焊,便于光学焊锡检测
应用领域
-便携式设备充电开关-直流-直流转换器-电池供电便携式设备的电源管理-硬盘和计算机电源管理
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