GAL22V10-20LVI
GAL22V10-20LVI
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- GAL22V10-20LVI
- 商品编号
- C3273054
- 商品封装
- PLCC-28(11.4x11.4)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 可编程逻辑器件(CPLD/FPGA) | |
| 系列 | GAL22V10 | |
| 可编程类型 | EEPLD | |
| 逻辑单元数 | - | |
| LAB/CLB数 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 宏单元数 | 10 | |
| 速度 | 10ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 支持UID保护 |
商品概述
NSC E2CMOS GAL器件将高性能CMOS工艺与电可擦除浮栅技术相结合。这种应用于阵列逻辑的可编程存储技术为设计人员提供了可重配置逻辑,并且在大幅降低功耗的水平下实现双极型性能。24引脚GAL22V10具有22个输入,10个可编程输出逻辑宏单元(OLMC),允许用户配置每个三态输出。每个输出的架构可由用户编程,支持寄存器操作或组合操作、高有效或低有效极性,也可配置为输入、输出或双向I/O。该架构具有可变乘积项分配,每个输出可分配8到16个逻辑乘积项,如逻辑图所示。CMOS电路使得GAL22V10的典型Icc仅为90mA,相比双极型同类产品可节省50%的功耗。增加了全局同步预置和异步复位乘积项,这些乘积项对所有输出寄存器共用,以改善系统运行。编程可使用业界标准的现有硬件和软件工具完成。NSC保证至少100次擦除/写入循环。独特的测试电路和可重编程单元允许在制造过程中完成完整的AC、DC、单元和功能测试。因此,NSC保证所有GAL器件100%的现场可编程性。此外,提供电子签名以识别器件ID。内置安全电路,为专有设计提供复制保护。
商品特性
- 高性能E2CMOS技术
- 最大传输延迟15 ns
- fmax= 45 MHz with feedback
- TTL兼容16 mA输出
- UltraMOS II先进CMOS技术
- 所有引脚内置上拉电阻
- 电可擦除单元技术
- 可重配置逻辑
- 可重编程单元
- 100%测试/保证100%良率
- 高速电擦除 (<50 ms)
- 20年数据保存时间
- 十个输出逻辑宏单元
- 最大灵活性
- 可编程输出极性
- 适用于复杂逻辑设计的最大灵活性
- 可变乘积项分配
- 每个输出数据功能支持8到16个乘积项
- 全局同步预置和异步复位
- 所有寄存器可预加载和上电复位
- 100%可功能测试
- 完全支持National OPAL和OPALjr开发软件
- 安全单元防止逻辑复制


