温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
2SK2225-E
1个N沟道 耐压:1.5kV 电流:2A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
- 品牌名称RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号
2SK2225-E商品编号
C37357商品封装
TO-3PFM包装方式
管装
商品毛重
6.333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12Ω@15V,1A | |
| 功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 984.7pF@30V |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：1500V（1.5kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 欧姆 @ 1A，15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：984.7pF @ 30V
功率 - 最大值：50W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装：TO-3PFM
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：1500V（1.5kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 欧姆 @ 1A，15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：984.7pF @ 30V
功率 - 最大值：50W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装：TO-3PFM
数据手册PDF
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
售价
折合1管
1+￥18.77
10+￥16.38
30+￥14.95￥448.5
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
38
江苏仓
0
SMT仓
58
购买数量(30个/管，最小起订量 1 个 )
个
个
近期成交29单
