温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TPS51216RUKR

DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器、2A LDO、缓冲基准

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器、2A LDO、缓冲基准
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPS51216RUKR
商品编号: C398917
商品封装: QFN-20(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数

商品概述

TPS51216以最低的总成本和最小的空间为DDR2、DDR3和DDR3L内存系统提供完整的电源。它将同步降压调节器控制器（VDDQ）与一个2A灌/拉电流跟踪LDO（VTT）和缓冲低噪声基准（VTTREF）集成在一起。TPS51216采用D-CAP™模式，结合300 kHz/400 kHz频率，使用方便且瞬态响应快速。VTTREF能以出色的0.8%精度跟踪VDDQ/2。VTT提供2A灌/拉峰值电流能力，仅需10μF陶瓷电容。此外，还提供专用的LDO电源输入。 TPS51216不仅具备出色的电源性能，还提供丰富实用的功能。它支持灵活的电源状态控制，在S3状态下将VTT置于高阻态，在S4/S5状态下对VDDQ、VTT和VTTREF进行放电（软关断）。还具备带低端MOSFET RDS(on)检测的可编程OCL、过压保护（OVP）/欠压保护（UVP）/欠压锁定（UVLO）和热关断保护功能。 TPS51216采用20引脚、3 mm × 3 mm的QFN封装，工作环境温度范围为-40°C至85°C。

商品特性

同步降压控制器（VDDQ）
转换电压范围：3 V至28 V
输出电压范围：0.7 V至1.8 V
0.8%的VREF精度
采用D-CAP™模式实现快速瞬态响应
可选300 kHz/400 kHz开关频率
具备自动跳过功能，在轻载和重载时实现优化效率
支持S4/S5状态下的软关断
OCL/OVP/UVP/UVLO保护
电源正常输出
2A LDO（VTT）、缓冲基准（VTTREF）
2A（峰值）灌电流和拉电流
仅需10μF陶瓷输出电容
缓冲、低噪声、10 mA的VTTREF输出
0.8%的VTTREF精度、20 mV的VTT精度
支持S3状态下的高阻态和S4/S5状态下的软关断

应用领域

DDR2/DDR3/DDR3L内存电源
SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135和HSTL端接

	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	降压型
	工作电压	3V~28V
	输出电压	700mV~1.8V
	输出电流	2A
	开关频率	300kHz；400kHz

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃@(TA)
	同步整流	是
	输出通道数	2
	拓扑结构	降压式
	开关管(内置/外置)	外置