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BTS3104SDRATMA1
智能低边功率开关
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- 描述
- 是单通道低侧MOSFET功率开关，采用PG-TO252-3-11封装，提供嵌入式保护功能。该器件与N沟道垂直功率FET和嵌入式保护功能进行了单片集成。可用于12V和24V汽车和工业应用。能够切换各种电阻性、电感性和电容性负载，受EAS和最大电流能力限制
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BTS3104SDRATMA1
- 商品编号
- C3232321
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 低侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 工作电压 | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 2A | |
| 导通电阻 | 104mΩ | |
| 功能特性 | 短路保护；过温保护；过压保护；过流保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
BTS3104SDR是一款采用PG - TO252 - 3 - 11封装的单通道低侧MOSFET功率开关，具备嵌入式保护功能。该器件将N沟道垂直功率FET与嵌入式保护功能进行了单片集成。BTS3104SDR通过了汽车应用认证，可用于12V和24V的汽车及工业应用。该器件能够切换各种电阻性、电感性和电容性负载，受EAS和最大电流能力的限制。它在IN引脚提供针对源极引脚（接地）的ESD保护。过温保护可防止器件因过载和/或散热条件不佳而过热，功率MOSFET中的温度传感器会提供温度信息。在热关断期间，器件会在IN引脚吸收增加的输入电流以反馈故障状态。BTS3104SDR具有热重启功能，当测量温度降至热滞回温度以下且输入仍为高电平时，器件将再次开启。过压保护在负载突降或电感关断条件下启动，当漏源电压超过VDS(clamp)时，功率MOSFET会限制该电压。
商品特性
- 短路和过载保护
- 带重启功能的热关断
- ESD保护
- 过压保护
- 逻辑电平输入，适用于5V和3.3V
- 可进行模拟驱动
- 适用于12V和24V应用
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 通过AEC认证
应用领域
- 汽车和工业应用中的电感和灯负载
- 12V和24V应用
- 各类电阻性、电感性和电容性负载
- 替代分立电路