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LM74810QDRRRQ1

具有有源整流和负载突降保护功能的理想二极管控制器

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描述: LM7481-Q1 具有有源整流功能、可驱动 B2B NFET 的汽车类理想二极管控制器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM74810QDRRRQ1
商品编号: C3215601
商品封装: WSON-12-EP(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.199836克(g)

商品参数

商品概述

LM74810-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。具有 60mA 峰值栅极拉电流驱动器级以及短导通和关断延迟时间的 3.8mA 强电荷泵可确保快速的瞬态响应，从而确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，在汽车测试中 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200KHz 的交流叠加输入信号。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能，以提供负载突降保护。

商品特性

符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
器件 HBM ESD 分类等级 2
器件 CDM ESD 分类等级 C4B
3V 至 65V 输入范围
反向输入保护低至 –65V
驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
9.1mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
低反向检测阈值 (–4mV)，能够快速响应 (0.5μs)
高达 200KHz 的有源整流
60mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
2.6A 峰值 DGATE 关断电流
集成 3.8mA 电荷泵
可调节过压保护
2.87μA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

应用领域

汽车电池保护
ADAS 域控制器
音响主机
高端音响
用于冗余电源的有源 ORing
具有开关输出的理想二极管
ISO16750、LV124 交流叠加性能

	属性	参数值
	商品目录	理想二极管/ORing控制器
	输入电压(Vin)	3V~65V
	反向耐压	65V
	导通电流(Imax)	2.67A
	FET类型	外置FET
	栅极驱动电压	11.5V

	属性	参数值
	正向压降(Vf)	9.1mV
	静态电流(Iq)	408uA
	工作温度	-40℃~+150℃
	拉电流(IOH)	60mA
	灌电流(IOL)	2.6A