2966J/B

AM2965和AM2966设计用于驱动MOS动态随机存取存储器（DRAM）的地址和控制线的电容性输入特性。下部输出驱动器的独特设计包含一个集电极电阻，用于控制高到低转换时的下冲。上部输出驱动器上拉至VCC - 1.15V，以与MOS存储器兼容，并且设计为具有与下部输出受控下降时间对称的上升时间，这有助于优化动态随机存取存储器的性能。AM2965和AM2966与流行的'S240和'S244引脚兼容，具有相同的三态输出使能控制。AM2965具有反相驱动器，而AM2966具有同相驱动器。下部输出驱动器中包含内部电阻，消除了对外部串联电阻的需求，从而减少了封装数量和所需的电路板面积。内部电阻在不减缓输出上升速度的情况下控制输出下降和下冲。这些器件设计用于与Am2964动态内存控制器配合使用，适用于具有高电容性输入线的大型动态存储器，需要额外的缓冲。在同一硅芯片上驱动八条地址线或四条行地址选通（RAS）和四条列地址选通（CAS）线，通过最小化驱动器之间的偏差，也提供了显著的性能优势。每个器件在驱动器之间都有指定的偏差，以改善存储器访问最坏情况下的时序，优于未指定器件的最小和最大传播延迟（tpp）差异。

• 受控的上升和下降特性，内部电阻为高电平和低电平状态提供对称驱动，无需外部串联电阻。
• 输出摆幅设计用于驱动16K和64K随机存取存储器，保证输出高电平（VOH）在Vcc - 1.15V，低电平时下冲保证小于0.5V。
• 大电容驱动能力，在2.0V时源电流或灌电流最小为35mA，针对50pF和500pF负载指定了传播延迟。
• 与'S240和'S244引脚兼容，同相的Am2966可替代74S244，反相的Am2965可替代74S240，在等效负载下比'S240/244更快。
• 无毛刺输出，在电源上下电期间输出强制进入关断状态，从三态恢复时无毛刺。