C30659-1060-3AH
C30659-1060-3AH
- 品牌名称
- Excelitas(埃赛力达)
- 商品型号
- C30659-1060-3AH
- 商品编号
- C3211140
- 商品封装
- TO-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 光电二极管 | |
| 峰值波长 | 1064nm |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 频谱范围 | 400nm~1100nm | |
| 工作温度 | -40℃~+70℃ |
商品概述
Excelitas的C30659系列包括一个硅或铟镓砷雪崩光电二极管(APD)和一个混合前置放大器,它们封装在同一个密封的TO - 8封装中,可实现超低噪声运行。这些设备中使用的硅APD与Excelitas的C30817EH、C30902EH、C30954EH和C30956EH产品中使用的相同,而铟镓砷APD则用于C30645EH和C30662EH产品。这些探测器在830至1550nm之间具有良好的响应,并且在所有波长下都有非常快的上升和下降时间。模块的前置放大器部分采用了一个非常低噪声的砷化镓场效应晶体管前端,设计用于比Excelitas常规的C30950系列更高的跨阻下运行。C30659系列采用反相放大器设计,发射极跟随器用作输出缓冲级,它与C30950系列引脚兼容。为了获得宽带特性,这些设备的输出应通过电容或交流耦合到50Ω终端。模块不得直流耦合到小于2kΩ的负载。对于现场使用,建议采用温度补偿的高压电源以保持恒定响应。
商品特性
- 系统带宽为50 MHz和200 MHz
- 超低噪声等效功率(NEP)
- 光谱响应范围:硅APD为400 nm至1100 nm;铟镓砷APD为1100 nm至1700 nm
- 典型功耗为150 mW
- 放大器工作电压为±5 V
- 50 Ω交流负载能力(交流耦合)
- 密封TO - 8封装
- 高可靠性
- 快速过载恢复
- 与C30950引脚兼容
- 光入射角超过130°
- 1550E型号具有增强的损伤阈值
- 符合RoHS标准
应用领域
- 激光雷达
- 测距
- 激光指示
- 共聚焦显微镜
- 高速、极弱光检测
- 分布式温度传感(DTS)
- 分析仪器
- 高速、自由空间光通信
