KPDE086S-H85P-B
KPDE086S-H85P-B
- 商品型号
- KPDE086S-H85P-B
- 商品编号
- C3211160
- 商品封装
- TO-46-6
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 光电二极管 | |
| 直流反向耐压(Vr) | 20V | |
| 接收角度 | - | |
| 峰值波长 | - | |
| 频谱范围 | 900nm~1700nm |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 暗电流 | 1nA | |
| 工作温度 | -40℃~+70℃ | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 通道数 | - |
商品特性
- 860μm²大感光面积
- 低暗电流
- 高并联电阻
- 采用TEC和热敏电阻进行电制冷
- 小尺寸(TO - 46封装)
应用领域
- 近红外传感器
- 近红外光谱功率计


