OSD35-LR-A

大光敏面高速探测器可通过完全耗尽实现最低的结电容，从而获得快速响应时间。它们可在更高的反向电压下工作，直至最大允许值，以实现纳秒级的更快响应时间。此时的高反向偏压增加了结上的有效电场，从而缩短了耗尽区的电荷收集时间。值得注意的是，这无需牺牲高响应度或光敏面面积。 大光敏面辐射探测器也可完全耗尽，用于测量高能X射线、γ射线以及高能粒子（如电子、α射线和重离子）。这些类型的辐射可通过间接和直接两种方法进行测量。 在间接高能辐射测量方法中，探测器与闪烁体晶体耦合，将高能辐射转换为可探测的可见光波长。器件安装在陶瓷基板上，并覆盖一层透明的环氧树脂，以实现与闪烁体的良好光学耦合。此方法广泛用于高能γ射线和电子的探测。闪烁体类型和尺寸可根据辐射类型和强度进行选择。 对于直接高能辐射测量，PIN-RD100和PIN-RD100A也可在无环氧树脂或玻璃窗的情况下使用，用于直接测量α射线和重离子等高能辐射。辐射在入射到光敏面后，会沿直线深入硅材料内部并损失能量。能量损失量和穿透深度由辐射类型和强度决定。为了完全测量辐射量，耗尽层应足够深以覆盖从入射点到停止点的整个轨迹。这需要施加高偏压以使探测器完全耗尽。尽管具有大光敏面且需施加高偏压，这些器件仍表现出超低暗电流、低电容和低串联电阻。 除了用于高能粒子探测外，PIN-RD100和PIN-RD100A也是需要在350至1100 nm波长范围内进行探测，且要求大光敏面和高速度的应用的绝佳选择。这些探测器可与电荷敏感前置放大器或低噪声运算放大器耦合。间接测量的配置也通过闪烁体晶体进行了展示。 对于高能粒子的直接探测，前置放大器为FET输入运算放大器，必要时后接一级或多级放大级，或使用商用电荷敏感前置放大器。计数效率与入射辐射功率成正比。必须选择适当的反向偏置电压以获得最佳信噪比。对于低噪声应用，所有组件应封装在金属盒内。此外，偏置电源应为简单的电池或纹波极低的直流电源。探测器也应在光伏模式下工作。 间接探测电路与直接探测电路非常相似，不同之处在于光电二极管与闪烁体耦合。闪烁体将高能X射线和/或γ射线转换为可见光。合适的闪烁体包括CsI(TL)、CdWO4、BGO和NaI(TL)。放大器应为FET输入运算放大器，后接一级或多级放大级，或使用商用电荷敏感前置放大器。输出电压主要取决于闪烁体效率，应使用放射源进行校准。 由于硅光电二极管的光谱响应范围包含可见光区域，必须注意避免光电二极管暴露于高环境光水平下，特别是来自钨光源或阳光的光线。在运输过程中，光电二极管包装在不透明、带衬垫的容器中，以避免环境光照射和因跌落或震动造成的损坏。 光电二极管如果跌落或受到剧烈震动可能会失效。键合线非常精细，可能会分离。

• 大光敏面
• 可完全耗尽
• 快速响应
• 超低暗电流
• 低电容
• 可安装闪烁体
• 高击穿电压

• 电子检测
• 医疗仪器
• 高能光谱学
• 带电粒子检测
• 高能物理
• 核物理
• 控制系统