DXTP58100CFDB-7
DXTP58100CFDB-7
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DXTP58100CFDB-7
- 商品编号
- C3202402
- 商品封装
- DFN-3(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 直流电流增益(hFE) | 160 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 135MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 185mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 集电极 - 发射极截止电压(BVCEO)> -100V
- 规定在高达 -3A 电流下的共发射极电流放大系数(hFE),以保持高电流增益
- 低外形封装,高度仅 0.6mm,适用于轻薄应用
- 完全无铅,完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 该器件符合 JEDEC 标准(参考 AEC - Q),具备高可靠性
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 充电电路
- 电机控制
- 功率开关
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