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DXTP5840CFDB-7
低饱和晶体管 PNP 电流:4.8A 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -40V。 hFE指定高达 -3A，以保持高电流增益。 低轮廓0.6mm高封装，适用于薄型应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性。应用：DC-DC转换器。 充电电路
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DXTP5840CFDB-7
- 商品编号
- C3202405
- 商品封装
- DFN-3(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 4.8A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 直流电流增益(hFE) | 220@1A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 135MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 130mV@1A,10mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |