- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UMT18NTR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 270 | |
| 特征频率(fT) | 260MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 2个PNP | |
| 配置 | 独立式 |
商品特性
- 采用EMT、UMT或SMT封装的两个2SA2018芯片。
- 可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。
- 晶体管元件相互独立，消除干扰。
应用领域
低频放大器、驱动器