商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
采用6引脚TO-78封装的2N4854器件符合军标要求，达到JANTXV等级，适用于高可靠性应用。美高森美（Microsemi）还提供众多其他产品，以满足更高和更低功率的电压调节应用需求。
商品特性
- JEDEC注册型号2N4854。
- 也可提供符合MIL-PRF-19500/421标准的JAN、JANTX和JANTXV等级产品。
- 有符合RoHS标准的版本（仅商业级）。
应用领域
- 紧凑的封装设计。
- 重量轻。