JAN2N2920
JAN2N2920
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- JAN2N2920
- 商品编号
- C3201490
- 商品封装
- TO-78-6
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 30mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 300 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
本规格涵盖了作为一个双单元的两个电气隔离、匹配的NPN硅晶体管的性能要求。为每种器件类型提供了四种产品保证等级，为芯片提供了两种产品保证等级。RHA等级标识“M”、“D”、“P”、“L”、“R”、“F”、“G”和“H”被附加到器件前缀以识别通过RHA要求的器件。除非另有规定，$T_{C} = +25^{\circ}C$ 。对于$T_{A} > +25^{\circ}C$ ，一个部分线性降额$1.143 mW / ^{\circ}C$ ，两个部分线性降额$2.000 mW / ^{\circ}C$ ；对于$T_{C} > +25^{\circ}C$ ，一个部分线性降额$1.714 mW / ^{\circ}C$ ，两个部分线性降额$2.571 mW / ^{\circ}C$ 。