商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 900mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
本规范涵盖了集成式双晶体管的性能要求，该晶体管在一个封装中包含一对电气隔离的匹配和不匹配的NPN硅晶体管。每种器件类型按照MIL - PRF - 19500的规定提供四个级别的产品保证。封装形式包括类似TO - 99的通孔安装金属罐、表面贴装版本U和表面贴装版本UC。除非另有规定，环境温度TA = +25°C。还规定了最大额定值、主要电气特性、电气匹配特性、器件编号规则、引脚定义等内容。