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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 20 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
本规范涵盖了NPN型硅超高频晶体管的详细要求。每种器件类型按照MIL - PRF - 19500的规定提供了四个级别的产品保证，未封装器件提供了两个级别的产品保证。RHA级别标识“M”、“D”、“P”、“L”、“R”、“F”、“G”和“H”会附加到器件前缀以识别通过RHA要求的器件。