商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 25 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
硅NPN功率晶体管D42C系列设计用于各种特定和通用应用，如工作频率从直流到超过1MHz的放大器的输出和驱动级、串联、并联和开关稳压器，以及低频和高频逆变器/转换器。这些器件采用JEDEC TO - 202AB塑料封装。
商品特性
- 高自由空气功率耗散
- 低集电极饱和电压（在3A集电极电流时典型值为0.5V）
- 出色的线性度
- 快速开关
应用领域
工作频率从直流到超过1MHz的放大器的输出和驱动级、串联、并联和开关稳压器、低频和高频逆变器/转换器