- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N6126
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 20 | |
| 特征频率(fT) | 2.5MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.4V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6121系列是互补硅功率晶体管，专为功率放大器和开关应用而设计。
应用领域
功率放大器、开关应用