2N6491
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 15A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 20 | |
| 特征频率(fT) | 5MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.5V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
这些器件设计用于通用放大器和开关应用。
商品特性
- 直流电流增益指定至15安培，h_FE = 20 - 150（在I_C = 5.0 Adc时），h_FE = 5.0（最小值）（在I_C = 15 Adc时）
- 集电极 - 发射极维持电压：V_CEO(sus) = 60 Vdc（最小值）（2N6487、2N6490）；V_CEO(sus) = 80 Vdc（最小值）（2N6488、2N6491）
- 高电流增益 - 带宽乘积f_T = 5.0 MHz（最小值）（在Ic = 1.0 Adc时）
- TO - 220AB紧凑型封装
- 提供无铅封装