商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 800mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品特性
- 晶体管之间的最大电压应≥500Vdc
- 对于2N6989和2N6989U，在TA = +25°C以上，以8.57mW/°C的速率线性降额；对于2N6990，在TA = +25°C以上，以2.286mW/°C的速率线性降额，额定值适用于整个封装
- 额定值适用于阵列中的每个晶体管
- 脉冲测试：脉冲宽度 = 300μs，占空比≤2.0%