商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 120 | |
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 低饱和电压，在集电极电流Ic/基极电流Ib = -400mA / -20mA时，集电极-发射极饱和电压VCE(sat) = -300mV（最大值）
- 互补NPN类型：2SD2444K
应用领域
低频放大器