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HFA3046BZ
NPN 电流:34mA 电压:12V
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- 描述
- HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是超高频晶体管阵列，采用瑞萨（Renesas）互补双极 UHF - 1 工艺制造。每个阵列在一个共同的单片衬底上集成了五个介质隔离晶体管。NPN 晶体管的特征频率（fT）为 8GHz，而 PNP 晶体管的 fT 为 5.5GHz
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HFA3046BZ
- 商品编号
- C3199490
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 34mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 130 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 8GHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 5个NPN |
商品概述
HFA3046、HFA3096、HFA3127和HFA3128是超高频晶体管阵列，采用瑞萨互补双极UHF - 1工艺制造。每个阵列由位于同一单片衬底上的五个介质隔离晶体管组成。NPN晶体管的特征频率fT为8GHz，而PNP晶体管的特征频率fT为5.5GHz。两种类型的晶体管均具有低噪声特性（3.5dB），非常适合用于高频放大器和混频器应用。 HFA3046和HFA3127均为NPN晶体管阵列，而HFA3128则全部由PNP晶体管组成。HFA3096是NPN - PNP组合阵列。每个晶体管的各个端子均可独立接入，以实现最大的应用灵活性。这些晶体管阵列的单片结构确保了五个晶体管在电气和热性能上的紧密匹配。
商品特性
- NPN晶体管（fT）：8GHz
- NPN电流增益（hFE）：130
- NPN厄利电压（VA）：50V
- PNP晶体管（fT）：5.5GHz
- PNP电流增益（hFE）：60
- PNP厄利电压（VA）：20V
- 1.0GHz下的噪声系数（50Ω）：3.5dB
- 集电极 - 集电极泄漏电流：< 1pA
- 晶体管之间完全隔离
- 引脚与行业标准3XXX系列阵列兼容
- 无铅（符合RoHS标准）
应用领域
- VHF/UHF放大器
- VHF/UHF混频器
- 中频转换器
- 同步检测器