商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
这款NPN硅晶体管额定电流为5安培，符合JANTXV级。该TO - 111隔离封装的引脚方向为180度。
商品特性
- JEDEC注册型号2N3749
- 低饱和电压
- 低漏电流
- 具备快速开关能力 - 上升时间0.5 μs
- 高频响应
- 带隔离端子的TO - 111外壳
- 可提供符合MIL - PRF - 19500/315标准的JAN、JANTX和JANTXV级产品
- 有符合RoHS标准的版本（仅商业级）
应用领域
- 符合MIL - STD - 750方法1020的3B级静电放电防护
- 高频逆变器
- 转换器
- 线性放大器
- 高速开关稳压电源
- RF电源