- 引脚图
- 焊盘图
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BFP640E6327
BFP640E6327
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BFP640E6327
- 商品编号
- C3199241
- 商品封装
- SOT-343-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 110 | |
| 特征频率(fT) | 40GHz | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这是一款NPN硅锗射频晶体管，具有高增益低噪声的特点，能为广泛的无线应用提供出色性能，适用于CDMA和WLAN应用。在1.8 GHz时噪声系数F = 0.65 dB，在6 GHz时噪声系数F = 1.2 dB，在1.8 GHz时最大稳定增益Gms = 24 dB。采用金金属化工艺以提高可靠性，使用70 GHz fT硅锗技术，封装无铅（符合RoHS标准），并通过AEC Q101认证。
商品特性
- 为广泛的无线应用提供出色性能
- 适用于CDMA和WLAN应用
- 在1.8 GHz时具有出色的噪声系数F = 0.65 dB
- 在6 GHz时具有出色的噪声系数F = 1.2 dB
- 在1.8 GHz时具有高最大稳定增益Gms = 24 dB
- 金金属化工艺，可靠性极高
- 采用70 GHz fT硅锗技术
- 无铅（符合RoHS标准）封装
- 通过AEC Q101认证
应用领域
- CDMA应用
- WLAN应用