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2SCR563F3TR
NPN 6A 50V
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- 描述
- 特性：适用于中功率驱动器。 低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat)最大为350mV（IC / IB = 3A / 150mA时）。 高集电极电流：IC最大为6A，ICP最大为12A。 无铅小型贴片封装（HUML2020L3）。 出色的热导率和电导率。应用：低频放大器
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- 2SCR563F3TR
- 商品编号
- C3198586
- 商品封装
- HUML-L3(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 180@500mA,3V | |
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 350mV@3A,150mA | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 适用于中功率驱动器。
- 低VCE(sat)（VCE(sat) = 350mV（最大值），(IC / IB = 3A / 150mA)）
- 高集电极电流（IC = 6A（最大值），ICP = 12A（最大值））
- 无引脚小型SMD封装（HUML2020L3）
- 出色的热导率和电导率。
应用领域
- 低频放大器