HFA3127MJ/883
HFA3127MJ/883
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HFA3127MJ/883
- 商品编号
- C3198420
- 商品封装
- CERDIP-16
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 特征频率(fT) | 8GHz | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
HFA3127/883是采用哈里斯半导体互补双极UHF - 1工艺制造的超高频晶体管阵列。该阵列由位于同一单片衬底上的五个介质隔离晶体管组成。这些晶体管具有高ft（8GHz）和低噪声系数（3.5dB），非常适合高频放大器和混频器应用。
HFA3127/883是全NPN阵列。可访问单个晶体管的每个端子，以实现最大的应用灵活性。该阵列的单片结构使五个晶体管在电气和热性能上紧密匹配。
哈里斯半导体还提供SMD 5962 - 9474901MEA版本。
商品特性
- 该电路按照MIL - STD - 883进行处理，并完全符合第1.2.1款的规定。
- NPN晶体管(ft)……8GHz（典型值）
- NPN电流增益40（最小值）
- NPN厄利电压(VA) 20（最小值）
- 1.0GHz下噪声系数(50Ω) 3.5dB（典型值）
- 集电极到集电极泄漏 <1pA（典型值）
- 晶体管之间完全隔离
- 引脚与行业标准3XXX系列兼容
应用领域
- VHF/UHF放大器
- VHF/UHF混频器
- 中频转换器
- 同步检测器