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PDTD1113ET215

PDTD1113ET215

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品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
PDTD1113ET215
商品编号
C3197116
包装方式
袋装
商品毛重
0.274克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)250mW
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@50mA,2.5mA
工作温度-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)10V
数量1个NPN