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三极管(BJT)
PUMB9/ZL115
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品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
PUMB9/ZL115
商品编号
C3196894
包装方式
编带
商品毛重
0.274克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
三极管(BJT)
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
50V
耗散功率(Pd)
200mW
特征频率(fT)
180MHz
属性
参数值
集电极截止电流(Icbo)
100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))
100mV@5mA,0.25mA
工作温度
-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)
6V
数量
2个PNP
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