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三极管(BJT)
PDTD114EU135
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品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
PDTD114EU135
商品编号
C3196748
包装方式
袋装
商品毛重
0.274克(g)
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商品参数
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属性
参数值
商品目录
三极管(BJT)
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
50V
耗散功率(Pd)
425mW
属性
参数值
特征频率(fT)
225MHz
集电极截止电流(Icbo)
100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))
100mV@50mA,2.5mA
工作温度
-55℃~+175℃
射基极击穿电压(Vebo)
10V
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