温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
PMV20EN215
采用沟槽MOSFET技术、采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
~~- 逻辑电平兼容-开关速度极快-沟槽MOSFET技术-增强的功率耗散能力,达1200 mW
本网站需要JavaScript才能正常运行。请在浏览器设置中启用JavaScript。