PMV20EN215
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 耗散功率(Pd) | 6.94W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
-逻辑电平兼容-开关速度极快-沟槽MOSFET技术-增强的功率耗散能力,达1200 mW
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 耗散功率(Pd) | 6.94W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
采用沟槽MOSFET技术、采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
-逻辑电平兼容-开关速度极快-沟槽MOSFET技术-增强的功率耗散能力,达1200 mW
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路