- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MMBT3904WT1H
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 300 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV；300mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品特性
- 高直流电流增益：0.1 mA至100 mA
- 低集电极 - 发射极饱和电压
- 对于SMBT3904S：单个封装内有两个（电流）内部隔离且匹配良好的晶体管
- 互补类型：SMBT3906... MMBT3906
- 无铅（符合RoHS标准）封装
- 符合AEC Q101标准