- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMN40UPEA115
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装为小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 4 kV ESD保护
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路