- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 42A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.6V@15V,25A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 140ns | |
| 导通损耗(Eon) | 620uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 330uJ | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 快速开关
- 低VCE(饱和)
- 正温度系数，易于并联
- 高电流能力
- 低栅极电荷
- 高输入阻抗
- 高耐用性
- 平面单元结构
- 集成集电极-发射极二极管
- 无铅封装
- 符合RoHS标准
- 在T_J = 25°C下，V_CES = 600V，I_C = 40A
- 在T_J = 25°C下，V_GE = ±20V时，I_C = 80A
- 在T_J = 150°C下，V_GE = ±20V时，I_C = 40A
- 在T_J = 25°C下，V_CE = 5V，I_C = 40A时，V_GE(th) = 3.0V ~ 5.0V
- 在T_J = 25°C下，V_CE = 5V，I_C = 40A时，V_GE(th) = 3.0V ~ 5.0V
- 在T_J = 25°C下，V_GE = 0V，V_CE = 600V时，I_CES ≤ 250μA
- 在T_J = 25°C下，V_GE = ±20V，V_CE = 0V时，I_GES ≤ 500nA
- 在T_J = 25°C下，V_CE = 5V，I_C = 40A时，g_fs ≥ 15S
- 在T_J = 25°C下，I_C = 40A，V_GE = 15V时，C_ies ≤ 1800pF
- 在T_J = 25°C下，V_CC = 80% of V_CES，V_GE = 20V，L = 10μH，R_G = 10Ω时，E_on ≤ 3.0mJ
- 在T_J = 25°C下，V_CC = 80% of V_CES，V_GE = 20V，L = 10μH，R_G = 10Ω时，E_off ≤ 1.0mJ
- 在T_J = 25°C下，V_CC = 80% of V_CES，V_GE = 20V，L = 10μH，R_G = 10Ω时，E_ts ≤ 4.0mJ
- 在T_J = 25°C下，V_CC = 80% of V_CES，V_GE = 20V，L = 10μH，R_G = 10Ω时，t_d(on) ≤ 50ns
- 在T_J = 25°C下，V_CC = 80% of V_CES，V_GE = 20V，L = 10μH，R_G = 10Ω时，t_r ≤ 50ns
- 在T_J = 25°C下，V_CC = 80% of V_CES，V_GE = 20V，L = 10μH，R_G = 10Ω时，t_d(off) ≤ 400ns
- 在T_J = 25°C下，V_CC = 80% of V_CES，V_GE = 20V，L = 10μH，R_G = 10Ω时，t_f ≤ 50ns
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A时，V_F ≤ 2.5V
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，V_RRM = 600V
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，I_RRM ≤ 5.0A
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，Q_r ≤ 2.0μC
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，t_rr ≤ 200ns
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，I_RMS = 40A
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，I_FSM ≤ 160A
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，E_AR ≤ 10mJ
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，E_AS ≤ 100mJ
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，I_AR ≤ 5.0A
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，I_AS ≤ 40A
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，V_CEO(sus) = 600V
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，V_CES = 600V
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，V_GE = ±20V
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，I_C = 40A
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，I_CM ≤ 160A
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，P_C = 200W
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，T_J = -55°C ~ 150°C
- 在T_J = 25°C下，I_F = 40A，di/dt = 100A/μs时，T_stg = -55°C ~ 150°C