HIP6013CB-T-HC
降压型 10.8V~13.2V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HIP6013CB-T-HC
- 商品编号
- C3192413
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 10.8V~13.2V | |
| 输出电流 | - | |
| 开关频率 | 1MHz | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃@(TA) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 是 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 开关管(内置/外置) | 外置 |
商品概述
HIP6013为针对高性能微处理器应用优化的DC-DC转换器提供全面的控制和保护。它旨在驱动标准降压拓扑中的N沟道MOSFET。HIP6013将所有控制、输出调节、监控和保护功能集成到单个封装中。 转换器的输出电压可精确调节至低至1.27V，在温度和线电压变化范围内的最大公差为±1.5%。 HIP6013提供简单的单反馈环路电压模式控制，具有快速瞬态响应。它包含一个200kHz的自由运行三角波振荡器，其频率可从低于50kHz调节至超过1MHz。误差放大器具有15MHz的增益带宽积和6V/μs的压摆率，可为快速瞬态性能实现高转换器带宽。由此产生的PWM占空比范围为0%至100%。 HIP6013通过抑制PWM操作来防止过流情况。HIP6013利用上MOSFET的rDS(ON)来监测电流，从而无需电流检测电阻。
商品特性
- 驱动N沟道MOSFET
- 采用+5V或+12V输入供电
- 简单的单环控制设计 - 电压模式PWM控制
- 快速瞬态响应 - 高带宽误差放大器
- 完整的0%至100%占空比
- 出色的输出电压调节 - 1.27V内部参考电压，在线电压和温度变化范围内公差为±1.5%
- 过流故障监测 - 无需额外的电流检测元件 - 使用MOSFET的rDS(ON)
- 小尺寸转换器 - 恒定频率操作 - 200kHz自由运行振荡器，可编程范围从50kHz至超过1MHz
- 14引脚SOIC封装
应用领域
- 奔腾、奔腾Pro、PowerPC和Alpha微处理器的电源
- 高功率5V至3.xV DC-DC稳压器
- 低压分布式电源