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ISL6420IRZ-TK

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6420IRZ-TK
商品编号: C3191982
商品封装: QFN-20(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.131克(g)

商品参数

商品概述

ISL6420能轻松为高性能DC/DC降压转换器实现完整的控制与保护方案。该器件专为在同步整流降压拓扑中驱动N沟道MOSFET而设计，将控制、输出调节、监测和保护功能集成于单一封装内。此外，该IC具备外部参考电压跟踪模式，适用于外部参考降压转换器应用和DDR端接电源，还具备电压裕量调节模式，用于网络DC/DC转换器应用中的系统测试。 ISL6420提供简单的单反馈环路电压模式控制，具有快速瞬态响应。转换器的输出电压可精确调节至低至0.6V。工作频率可在100kHz至1.4MHz范围内完全调节。高频操作可节省成本和空间。误差放大器具有15MHz的增益带宽积和6V/μs的压摆率，可实现高转换器带宽，以实现快速瞬态响应。在瞬态条件下，PWM占空比范围为0%至100%。通过选择ENSS引脚到地的电容值，可设置完全可调的PWM软启动。将ENSS引脚拉低可禁用控制器。 ISL6420监测输出电压，并在软启动序列完成且输出处于调节范围内时生成PGOOD（电源正常）信号。内置过压保护电路可防止输出电压超过设定值的约115%。通过监测上MOSFET的rDS(ON)来提供过流保护，以适当抑制PWM操作。这种方法简化了实现过程，并通过无需电流检测电阻提高了效率。

商品特性

输入电压范围为4.5V至16V
0.6V内部参考电压 - 参考电压精度为±1.0%
电阻可选开关频率 - 100kHz至1.4MHz
电压裕量调节和外部参考跟踪模式
输出可吸收或提供电流
无损、可编程过流保护 - 使用上MOSFET的rDS(ON)
可编程软启动
驱动N沟道MOSFET
简单的单环路控制设计 - 电压模式PWM控制
快速瞬态响应 - 高带宽误差放大器 - 占空比范围为0%至100%
广泛的电路保护功能 - PGOOD、过压、过流、关断
QFN (4x4)封装 - QFN符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN - 四方扁平无引脚 - 产品外形 - QFN接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率，外形更薄
也提供QSOP封装
提供无铅产品（符合RoHS标准）

应用领域

微处理器/ASIC电源 - 嵌入式控制器 - DSP和核心处理器 - DDR SDRAM总线端接
以太网路由器和交换机
高功率DC/DC稳压器
分布式DC/DC电源架构
个人计算机外设
外部参考降压转换器

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优惠活动

购买数量

(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个1000个/圆盘

近期成交0单

	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	降压型
	工作电压	5.6V~16V
	输出电流	-
	开关频率	1.4MHz

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃@(TA)
	同步整流	是
	输出通道数	1
	拓扑结构	降压式
	开关管(内置/外置)	外置