- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FF225R65T3E3P6BPMA1
FF225R65T3E3P6BPMA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FF225R65T3E3P6BPMA1
- 商品编号
- C3190404
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 1000kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 5.9kV | |
| 集电极电流(Ic) | 225A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 450A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.4V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.4V@15V,225A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5uC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 65.6nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 1nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 240ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 6us | |
| 导通损耗(Eon) | 1.23J | |
| 关断损耗(Eoff) | 875mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -50℃~+125℃ |
商品特性
- V_CES = 6500 V
- IC nom = 225 A / ICRM = 450 A
- 高动态鲁棒性
- 低 VCE,sat
- 沟槽型 IGBT 3
- 封装具有 CTI > 600
- 封装具有 10.4 kV AC 60 s 的增强绝缘
- 采用 AlSiC 基板以提高热循环能力
- 扩展的存储温度低至 T_stg = -55°C
- 高爬电距离和电气间隙
- 外壳材料符合 EN45545-2《轨道车辆防火》标准中 R23 (HL3) 等级
应用领域
- 牵引驱动
- 中压变频器