- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 4200kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 3.3kV | |
| 集电极电流(Ic) | 2kA | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 4000A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.2V@15V,2kA(Typ) | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40uC@1800V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 280nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 8nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- VCES = 3300 V
- IC_nom = 2000 A / ICRM = 4000 A
- 高电流密度
- 高直流稳定性
- 高短路能力
- 低开关损耗
- 低 VCE,sat
- Tvj,op = 150 °C
- 沟槽型 IGBT 4
- 无与伦比的鲁棒性
- VCE,sat 具有正温度系数
- 低 Qg 和 Cres
- AlSiC 基板，增强热循环能力
- 高功率密度
- 隔离基板
- 封装 CTI > 600
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电机驱动
- 牵引驱动
- 不间断电源系统
- 中压变流器
- 大功率变流器
- FF450R33T3E3B5P2
- FF450R33T3E3B5P4
- FF450R33T3E3B5P6
- FF450R33T3E3B5P3
- FF225R65T3E3P3BPMA1
- FF225R65T3E3BPSA1
- FF225R65T3E3P5BPMA1
- FF225R65T3E3P2BPSA1
- FF225R65T3E3P6BPMA1
- FF225R65T3E3P4BPMA1
- IRG4BC15UD-SPBF
- AUIRG4BC30U-S
- IRGS15B60KDPBF
- IRG4BC30W-SPBF
- IRG4BC20SD-SPBF
- IRGS4064DTRLPBF
- IRGS4640DPBF
- IRGS30B60KTRRP
- IRGS6B60KDTRLP
- IRGS4056DPBF
- IRG4BC20UDSTRRP