- 引脚图
- 焊盘图
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FS50R12KT4B15
1.2kV 50A
- 描述
- 特性：低 VcEsat。 Trench IGBT 4。 Tvop = 150℃。 VcEsat 具有正温度系数。 Al₂O₃ 基板，低热阻。 高功率和热循环能力。应用：辅助逆变器。 电机驱动器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FS50R12KT4B15
- 商品编号
- C3190268
- 商品封装
- 插件,107.5x45mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 213.133333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.15V@15V,50A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 380nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.8nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 100pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 130ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 300ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.6mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.5mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |