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XM1001-BD-EV1

描述: MACOM 的 12.0-40.0 GHz GaAs MMIC 基本图像抑制混频器可以用作上变频或下变频器。该设备具有 8.0 dB 的转换损耗和 20.0 dB 的图像抑制。I 和 Q 混频器输出提供，并需要外部 90 度混合器来选择所需的边带。该 MMIC 使用 MACOM 技术的 GaAs PHEMT 设备模型技术，基于电子束光刻技术确保高重复性和均匀性。芯片表面钝化以保护并提供坚固的部分，背面有通孔和金金属化，允许使用导电环氧树脂或共晶焊料进行芯片附着。
品牌名称: MACOM
商品型号: XM1001-BD-EV1
商品编号: C3176630
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品概述

12.0 - 40.0 GHz GaAs MMIC基波镜像抑制混频器可用作上变频器或下变频器。该器件在整个频段内的转换损耗为8.0 dB，镜像抑制为20.0 dB。提供I和Q混频器输出，需要一个外部90度混合器来选择所需的边带。这款MMIC采用GaAs PHEMT器件模型技术，并基于电子束光刻技术，以确保高重复性和一致性。芯片具有表面钝化层以提供保护，是一款坚固耐用的器件，带有背面过孔和镀金金属层，可采用导电环氧树脂或共晶焊料进行芯片贴装。该器件非常适合毫米波点对点无线电、本地多点分配系统（LMDS）、卫星通信（SATCOM）和甚小口径终端（VSAT）应用。

商品特性

基波镜像抑制混频器
8.0 dB转换损耗
20.0 dB镜像抑制
+25.0 dBm输入三阶截点（IIP3）
100%晶圆级射频测试
按照MIL-STD-883方法2010进行100%外观检查
符合RoHS标准，兼容260℃回流焊

应用领域

毫米波点对点无线电
本地多点分配系统（LMDS）
卫星通信（SATCOM）
甚小口径终端（VSAT）

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	属性	参数值
	商品目录	RF混频器
	增益/损耗	8dB