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TEA18363LT/2J实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TEA18363LT/2J

TEA18363LT/2J

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
TEA18363LT/2J
商品编号
C3093959
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.178克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录AC-DC控制器和稳压器
是否隔离隔离
工作电压9.9V~30V
开关频率25kHz~132.5kHz
耗散功率(Pd)75W
属性参数值
晶体管耐压-
拓扑结构反激式
特性过热保护(OTP);过压保护(OVP)
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

TEA18363T是一款用于低成本开关模式电源(SMPS)的控制器IC,适用于反激式拓扑结构。内置的绿色功能可在所有功率水平下实现高效率。 在高功率水平下,反激式变换器以准谐振(QR)模式运行。在较低功率水平下,控制器切换到频率降低(FR)或不连续导通模式(DCM),并将峰值电流限制在最大峰值电流的约25%。所有运行模式均采用谷底开关。 在低功率水平下,当反激式开关频率降至25 kHz以下时,反激式变换器切换到突发模式。集成了一种特殊的突发模式,可将光耦电流降至最低水平,确保低功率时的高效率和出色的空载功率性能。由于该模式下的开关频率最小值为25 kHz,而突发频率低于800 Hz,这些频率均在可听范围之外。在突发模式的非开关阶段,IC内部电源电流被降至最低,以进一步优化效率。 TEA18363T具备精确的过功率保护(OPP)功能。该功能使控制器能够在过功率情况下运行有限的时间。如果输出短路,系统将切换到低功率模式,此时输出功率被限制在较低水平。 TEA18363T采用高压绝缘体上硅(SOI)工艺制造。SOI工艺结合了低压工艺的优势(精度、高速保护、功能和控制),同时保留了高压能力(高压启动、低待机功率和集成的X电容放电功能)。 TEA18363T可使用最少的外部元件,设计出适用于高达75 W功率需求的低成本、高效率且可靠的电源。

商品特性

  • 适用于低成本应用的SMPS控制器IC
  • 宽电源电压范围(最高30 V)
  • 集成高压启动功能
  • 通过HV引脚在启动和保护期间实现连续VCC调节,允许使用最小的VCC电容值
  • 突发模式下降低光耦电流,实现低空载功耗
  • 所有运行模式下的工作频率均在可听范围之外
  • 集成X电容放电功能;恩智浦半导体专利(专利参考:81512184EP01(专利申请中))
  • 可调节软启动
  • 正常运行时低电源电流(空载时0.6 mA)
  • 突发模式非开关状态下低电源电流(0.2 mA)
  • 谷底开关,实现最小开关损耗
  • 固定最小峰值电流的频率降低功能,在低输出功率水平下保持高效率
  • 与市电电压无关的过功率保护(OPP)
  • 过温保护(OTP)
  • 集成过功率超时功能
  • 系统故障时集成重启定时器
  • 使用去磁检测的连续模式保护
  • 精确的过压保护(OVP)
  • 驱动器最大导通时间保护

应用领域

  • 需要高达75 W高效且经济的电源解决方案的应用

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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