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FH1206D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.269nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61.3pF |
商品概述
G20N06D52采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 60V、20A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 33 mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 45 mΩ
- 先进沟槽技术
- 具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理