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FH1908D
N沟道增强型功率MOSFET,电流:80A,耐压:80V
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- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1908D
- 商品编号
- C3039713
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 348pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了Maple semi先进的沟槽（TRENCH）技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
商品特性
- 漏源电压VDS = 80V,漏极电流ID = 80A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 7.9 mΩ(典型值:6.3 mΩ)
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
- 专为转换器和电源控制设计
- 采用高密度单元设计,实现极低的导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 封装散热性良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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