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WMB043N10LGS
N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:120A
- 描述
- WMB043N10LGS采用了功率沟槽MOSFET技术，该技术经过特别优化，可在降低导通电阻的同时保持出色的开关性能。此器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMB043N10LGS
- 商品编号
- C3039373
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.434422克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 131.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 111.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.475nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 768pF |
商品概述
NP3095G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 95 A
- RDS(ON)(典型值) = 4.5 mΩ @VGS=10V
- RDS(ON)(典型值) = 7.1 mΩ @VGS=4.5V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 负载开关
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