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WMB043N10LGS
N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:120A
- 描述
- WMB043N10LGS采用了功率沟槽MOSFET技术，该技术经过特别优化，可在降低导通电阻的同时保持出色的开关性能。此器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMB043N10LGS
- 商品编号
- C3039373
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.434422克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 131.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 111.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.475nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 768pF |
商品概述
WMB043N10LGS采用了威昂(Wayon)先进的功率沟槽MOSFET技术,该技术经过特别设计,可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 120 A
- 在VGS = 10V时,RDS(on) < 4.5 mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(on) < 6.7 mΩ
- 提供环保器件
- 栅极电荷低
- 100%保证耐雪崩能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源管理开关
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