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MPT037N08
1个N沟道 耐压:85V 电流:185A
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- 描述
- N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这是适用于电池管理系统（BMS）和大电流开关应用的理想器件。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT037N08
- 商品编号
- C3036703
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 185A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.234nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.181nF |
商品特性
- VDS = 85 V,VGS = 10 V、ID = 180 A时,Rdson < 3.7 mΩ(典型值:3 mΩ)
- 快速开关
- 低导通电阻(RDS(on) ≤ 3.7 mΩ)
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐用性
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
-电池管理系统(BMS)-电机驱动器
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