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BL18N20
N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- BL18N20是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BL18N20
- 商品编号
- C3036705
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品特性
- P沟道，-5V逻辑电平控制
- 在VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(on)低
- 快速开关
- 增强型
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- TO-252封装
- 无铅
- 无卤