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MPG30N10
N沟道功率MOSFET 1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- MPG30N10采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可应用于多种领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPG30N10
- 商品编号
- C3036704
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
GT650N15K采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 30 A
- RDS(ON)< 30 m Ω(@ VGS=10 V)
- 高密度单元设计,降低 R\text dson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源