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VSP003N10HS-G
100V/125A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：N- 通道，10V 逻辑电平控制。增强模式。VitoMOS II 技术。快速开关和高效率。100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VSP003N10HS-G
- 商品编号
- C3036315
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.23nF |
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 快速本征二极管
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC 转换器
- 激光驱动器
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制